韩国半导体产业有望由亏转盈
自2021年三季度开始，全球存储半导体成品价格出现了一轮长达两年的下滑，三星电子、SK海力士等韩国半导体企业相继陷入困境，其中三星电子半导体业务今年亏损额甚至预计将超过10万亿韩元（1元人民币约合180韩元）。但随着相关企业积极采取限产措施，推进产品更新换代，半导体市场已出现好转迹象。外界普遍预测，韩国半导体产业将在明年初迎来由亏转盈的拐点。 据半导体市场调查企业DRAM Exchange透露,电脑用DRAM内存条通用产品（DDR4 8Gb）的固定交易价格在2021年7月一度飙升至4.10美元，但去年3月已跌至3.41美元，此后持续下跌。今年9月，该产品的固定交易价格（固定交易价格是用于企业间交易的价格，被认为是了解行业情况的重要指标）仅为1.30美元，相比前年高点下跌近70%。 NAND闪存产品相比DRAM具有更好的价格防御性，但也无法独善其身。据了解，128G存储卡通用产品的固定交易价格在2021年7月上升到4.81美元，但以今年9月为基准的交易价格已跌至3.82美元，这一数值与高点相比下降了20%以上。 如此大幅度的价格变化同样也反映在三星电子和SK海力士的业绩报表中。三季度业绩报告显示，三星电子负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门销售额为16.44万亿韩元，营业损失为3.75万亿韩元，大部分亏损都发生在存储半导体业务上。SK海力士第三季度的销售额为9.07万亿韩元，营业损失为1.79万亿韩元，与去年同期相比，销售额减少了17%，利润也是由正转负。 虽然两家企业都出现了数万亿韩元的赤字，但与前两个季度的亏损不同，市场对未来半导体产业的走向却偏向乐观，并认为两家企业即将迎来曙光。 首先，市场普遍预测，存储半导体价格将重新进入上涨周期。市场调查企业Trend Force表示，移动终端用DRAM的四季度合约价格将上涨13%至18%，NAND价格也有望上涨15%，而且这种上升趋势至少持续到明年一季度。韩国媒体认为，三星电子的大幅减产和美光的价格上调为整个半导体产业对价格上涨趋势的确认奠定了基础。 其次，企业积极推出高附加值存储半导体产品也提升了市场的期待。以高带宽存储器（HBM）为例，随着人工智能（AI）服务器出货量的增加，对HBM产品的需求也在快速增长。HBM的价格最高可达普通DRAM产品的7倍，这将极大改善企业的收益性。技术能力和生产能力均占优的SK海力士，目前手中新一代HBM产品（HBM3、HBM3E）的订单已覆盖了明年的产能；三星电子也计划在明年把HBM生产能力扩大到今年的2.5倍。 DDR5内存也正成为韩国存储半导体企业的核心产品。据全球市场调查企业Omdia透露，在整个DRAM市场，DDR5出货量所占的比重将从今年的20.1%增加到2025年的40.5%。DDR5与DDR4相比，价格更高，产品的转换将使企业的收益性进一步得到改善。事实上，以HBM3、高容量DDR5和高性能移动DRAM等为主打产品的SK海力士DRAM部门在三季度已实现扭亏为盈，只是受到需求增长缓慢的NAND闪存部门拖累，整体营收仍呈赤字状态。 虽然半导体产业整体前景向好，但期待韩国半导体产业在今年四季度就实现扭亏为盈还为时尚早。韩国证券界预测，三星电子DS部门四季度仍将亏损1.3万亿韩元，而SK海力士同期亏损额将降至2000亿韩元。不出意外，韩国半导体产业将在明年一季度迎来业绩拐点。 （经济日报驻首尔记者 杨 明）
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